產(chǎn)品展示
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高分辨率掃描電子顯微鏡，透射分析電子顯微鏡，半導體測試裝置（CD-SEM，DR-SEM EBI），電子束曝。
概要
電化TFE可以在鎢單晶針狀物的表面上形成覆有鋯和氧的吸附層，從而被當作減少鎢的功函數(shù)的肖特基發(fā)射極來使用。不但具有超過單晶體LaB6陰極100倍以上的光亮度而且能量偏差小，即使是低加速電壓也可以有縮小探頭直徑的可能性。因此最適合應用在半導體材料和設備機械的表面觀察上。 此外，不僅放射電流是極其穩(wěn)定的，還壽命長，因此以半導體檢查裝置或電子束曝光設備為首，在各種電子束應用設備上被使用采納。
特長
●通過先進的針加工技術，制造出多種大小范圍的曲率半徑的芯片。
●因為偏差小，所以具備再現(xiàn)性能好的電子發(fā)射特點?？梢詫付ǖ碾娮訕尩呐渲?span style="color: rgb(127, 127, 127);">。
●此外，也可以提供芯片，壓縮機，引出電極為一體的模塊形式。
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